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        CsPb2Br5微球中共振拉曼光譜與外源光致發光機制特征探索

        更新更新時間:2024-10-15 點擊次數:272

        全無機CsPbBr3鈣鈦礦因其較高的光致發光效率和穩定性,近年來成為研究的熱點之一。作為CsPbBr3的同素異形體,CsPb2Br5不僅能夠發出強綠光,而且在高溫、高濕和高壓環境下表現出更高的穩定性,因此受到廣泛關注。然而,四方相CsPb2Br5被廣泛認為是間接帶隙半導體,這意味著它通常不具有本征光致發光能力。其發光機制在被發現具有3.35 eV的間接帶隙后變得有爭議。

        西安交通大學耶紅剛副教授團隊在國際知*期刊The Journal of Physical Chemistry C上發表的題為“Extrinsic Photoluminescence and Resonant Raman Spectra of CsPb2Br5 Microspheres"的研究論文。該文章探討了CsPb2Br5樣品發光機制,結果證實了CsPb2Br5中的綠色發光來自于樣品中微量CsPbBr3。

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        實驗結果分析

        耶紅剛副教授團隊采用化學氣相沉積(CVD)法制備了CsPb2Br5樣品,通過X射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)確認了樣品的相結構為四方相。通過吸收光譜、PL光譜溫度演變特征和共振拉曼信號研究了綠色發光的機制。從10到300 K的溫度下,發射波長及其大尺度藍移與鈣鈦礦CsPbBr3一致,而理論計算表明CsPb2Br5的光學帶隙幾乎沒有變化。光致發光強度、峰寬和時間衰減曲線也顯示出與CsPbBr3類似的溫度依賴性。此外,從樣品的共振拉曼光譜中得到的聲學模式與CsPbBr3納米立方體中的相同。其中30 cm?1的模式被認為是CsPbBr3存在的特定標志。因此推斷CsPb2Br5中觀察到的綠色發光是由痕量的鈣鈦礦CsPbBr3引起的。

        樣品的SEM圖像如圖1a所示。微球均勻地分布在硅襯底上, PbBr2將CsPbBr3全部轉換為CsPb2Br5。

        圖1 CsPb2Br5微球的表征。(a)的SEM圖和(b)能譜圖。

        吸收光譜出現兩個明顯的吸收過程,主吸收約為370nm,表明CsPb2Br5帶隙與報道一致為3.35eV,第二個斜率與PL光譜波長相同,與綠色發光相關,綠色發射光為殘余CsPbBr3。

        圖2 室溫下吸收光譜(藍色)和PL光譜(綠色)

        耶老師團隊自主搭建了熒光光譜和共振拉曼光譜分析系統,其中分別使用了北京卓立漢光儀器有限公司研發的Omni-λ500i影像譜王光柵光譜儀進行光譜分光,TEHVPMT制冷型光電倍增管進行拉曼信號采集。PL光譜與溫度演變關系如圖3所示,溫度升高導致晶格膨脹引起帶隙變化,PL發生藍移,由538.5nm至520.2nm,這也是鈣鈦礦半導體中的*特現象。圖3b中的PL峰的半高寬展寬特性與CsPbBr3一致。圖3c顯示了在不同溫度下PL時間響應曲線,呈現出非單指數衰減,壽命為幾納秒。壽命隨著溫度的升高而增加,這也是鈣鈦礦CsPbBr3的一個典型特征。以上結果表明綠色發射光是因為CsPb2Br5中殘留CsPbBr3導致。

        圖3 (a) PL光譜的溫度演化,(b)峰中心和峰寬,(c)光譜峰位在10 ~ 300 K范圍內的PL衰減曲線。

        采用DFT計算了帶隙寬度的晶格依賴性,如圖4所示,結果表明CsPb2Br5的帶隙為3.388eV, CsPbBr3帶隙為2.242eV.帶隙隨晶格改變情況如4c所示。

        圖4 晶格能帶圖,(a)CsPb2Br5,(b)CsPbBr3,(c)帶隙隨晶格改變情況

        在10K溫度下CsPb2Br5的PL光譜、共振拉曼光譜和632.8nm激發的拉曼光譜如圖5所示。PL光譜表明CsPb2Br5樣品主熒光峰位于538nm附近。532nm激發下產生了共振拉曼(圖5a),拉曼峰歸屬于ω1,ω2、ω3的基本聲子模式和ω1+ω2、2ω1+ω2泛頻?;韭曌幽芰糠謩e為3.7,6.3和18.8meV,對應的拉曼波數位于30、50和150cm-1。該共振拉曼隨溫度升高而迅速降低,50K時消失不見。采用632.8nm激光器在室溫環境激發拉曼光譜可以獲取位于77、105和132cm-1的三個拉曼峰。CsPb2Br5為四邊形結構,不存在28 cm-1和32 cm-1拉曼峰位,本文中30 cm-1的拉曼峰表明制備的CsPb2Br5樣品中含有CsPbBr3,進一步證實了CsPb2Br5的綠色發光機理來源于微球中含有CsPbBr3。

        圖5 CsPb2Br5微球的拉曼光譜。 (a) 473和532 nm激光在10 K激發下的PL光譜 (b) 532 nm激發的共振拉曼信號;(c)室溫下632.8 nm激發下的拉曼光譜信號

        作者簡介

        耶紅剛副教授,西安交通大學物理學院碩士生導師。研究方向為新型半導體材料的光學性質與光電器件,半導體低維結構的制備、物理性質與應用研究,半導體電子結構的*一性原理計算與調控設計等。在ACS Applied Nano Materials、J. Mater. Chem. C、Journal of Physical Chemistry C等國際期刊發布多篇論文。

        產品推薦

        本研究使用了北京卓立漢光儀器有限公司研發的Omni-λ500i影像譜王光柵光譜儀進行光譜分光,TEHVPMT制冷型光電倍增管進行信號采集。

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